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英飞凌官宣50亿欧元扩产 第三代半导体有望迎来需求快速成长

2023-08-07 09:02:48 来源:中财网 分享到:


(资料图片)

①功率半导体大厂英飞凌宣布,计划在未来五年内投资高达50亿欧元,用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。

②中信证券认为,SiC有望在电动汽车产业加速发展及渗透率提升的双重推动下迎来需求快速成长。

功率半导体大厂英飞凌宣布,计划在未来五年内投资高达50亿欧元,用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。

新能源车全球普及加速,功率密度标准持续提升为SiC产业落地提供契机。目前各国制定的电动车发展路线图中,功率密度标准逼近主流Si基器件的性能极限,SiC器件成为理想替代。中信证券认为,SiC有望在电动汽车产业加速发展及渗透率提升的双重推动下迎来需求快速成长。根据Yole预测,2021-2027年全球碳化硅功率器件市场规模有望从10.90亿美元增长到62.97亿美元,保持年均34%的复合增速。

据财联社主题库显示,相关上市公司中:

天岳先进是国内领先的第三代半导体衬底材料生产商,主要从事碳化硅衬底的研产销,主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底,6英寸产品已送样至多家国内外知名客户。

露笑科技碳化硅业务主要为碳化硅衬底片和长晶炉的生产和销售,已成功研发6英寸的导电型碳化硅衬底片,衬底质量与国外厂家基本保持一致水准,并开始批量生产。

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